Applications
Les électrodes BDD (Boron-Doped Diamond) excèlent dans la dégradation des polluants organiques complexes dans les industries:
Déchets pharmaceutiques/chimiques
Produits secondaires de la pétrochimie et de la cokerie
Les colorants textiles et les effluents de bronzage
Déchets de décharges et résidus d'explosifs
Pâte/papier et eaux usées de distillerie
Je ne veux pas. | Nom du produit | Substrats | Spécifications | Unité |
1 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 5*5*0,55 mm | Une pièce |
2 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 5*5*1,0 mm 2 trous ouverts |
Une pièce |
3 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 5*5*1,0 mm 4 trous ouverts |
Une pièce |
4 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 8*6*1 Les fentes |
Une pièce |
5 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 7*7*0,5 mm | Une pièce |
6 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 10*10*0,625 mm | Une pièce |
7 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 10*10*0,625 mm | Une pièce |
8 | électrode BDD | d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm | 10*10*0,5 mm | Une pièce |
Avantages en matière de performance
Une efficacité supérieure: Surpasse les électrodes PbO2/Pt en dégradation organique avec une consommation d'énergie 30% inférieure
Génération d'ozone écologiquement sûre: production d'ozone sans électrolyte pour la purification de l'eau
Une extrême durabilité: Résistant à la corrosion dans des environnements chimiques agressifs
Propriétés des semi-conducteurs
Ultra large bande: 5,47 eV (5 × silicium ′s 1,1 eV) permet le fonctionnement de l'appareil à haute température/haute fréquence
Conductivité thermique: 2 200 W/mK (5 × cuivre) réduit la taille/poids des composants dans les amplificateurs et les lasers
Mobilité des électrons: Mobilité des trous la plus élevée parmi les matériaux à large bande, idéale pour les circuits intégrés à ondes millimétriques
Mesures techniques
L'indice Johnson: 8 200 (contre 410 pour le SiC)
Indice Baliga: Optimale pour les systèmes de commutation de puissance
Affinité négative des électrons: permet des applications à cathode froide
Principales caractéristiques
Conductivité thermique réglable: 1 000 ‰ 1 800 W/mK (9 × silicium ‰ 139 W/mK)
Ingénierie de précision:
Tolérance d'épaisseur: ± 25 μm
Surface plate: < 4 μm/cm
Finition latérale de croissance: < 100 nm Ra
Finition latérale de nucléation: < 30 nm Ra
Spécifications standard
Les dimensions: jusqu'à Ø65 mm (personnalisable)
Épaisseur:
Produits bruts: 0,3 à 1,5 mm
Polissage: 0,2 ∼ 1,0 mm
Densité: 3,5 g/cm3
Module du jeune: 1 000 à 1 100 GPa
Applications thermiques
Dispositifs de diodes laser à haute puissance
Disperseurs de chaleur à circuits intégrés
Solutions thermiques compactes pour l'électronique aérospatiale
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